收藏本站
IXTQ 80N28T
80
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
180
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
70
60
50
V GS = 10V
8V
7V
6V
160
140
120
100
V GS = 10V
8V
7V
40
80
30
20
60
6V
5V
40
10
0
20
0
5V
0
0.5
1
1.5 2 2.5
V D S - Volts
3
3.5
4
4.5
0
2
4
6
8 10 12
V D S - Volts
14
16
18
20
80
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.1
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
70
60
50
40
V GS = 10V
8V
7V
6V
2.8
2.5
2.2
1.9
V GS = 10V
I D = 80A
1.6
30
1.3
I D = 40A
20
10
0
5V
1
0.7
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.7
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.4
V GS = 10V
T J = 125 o C
80
External Lead Current Limit
3.1
2.8
70
60
2.5
50
2.2
1.9
1.6
40
30
1.3
1
0.7
T J = 25 o C
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTQ86N20T MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
IXTQ90N15T MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
IXTR16P60P MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
IXTR200N10P MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
IXTR20P50P MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
IXTR30N25 MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
IXTR32P60P MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
IXTR36P15P MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
IXTQ82N25P 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ86N20T 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ88N15 功能描述:MOSFET 88 Amps 450V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ88N30P 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ90N15T 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ96N15P 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ96N20P 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ96N25T 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube